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长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

来源:新华网编辑:马永欣发布时间:2019-09-20 15:05:29

  新华社合肥9月20日电(记者董雪)20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。

  该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标,2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目。目前,项目已通过层层评审,并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

  国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军,国家重大专项01专项专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示,这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

  DRAM即动态随机存取存储器,是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年,中国芯片进口额超过3000亿美元,这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片,被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”,广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

  据魏少军等专家介绍,我国虽是该芯片的最大应用市场,此前却始终未能出现实现量产的国产项目,没有掌握自主产能。

  长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”大会现场,长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说。

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